所有物体都会向外发射红外线,其强度与物体温度有关。红外测温仪里有个探测器,能捕捉到物体发出的红外线。当红外线照射到探测器上,会使其产生电信号,而信号强弱随红外线的能量变化,也就是随物体温度而变。测温仪通过内部算法,将电信号转化为温度值显示出来,这样我们就能快速、非接触地测得物体表面温度,方便在许多场合使用,比如测人体体温、工业设备温度、热处理场合测温等,又快又安全。
光学单元创建的弱波导直接决定了测温仪(点温仪)的最小测量光斑,例如最小测量光斑 2mm,那么大于 2mm 的物体当然都可以测了,只是测不同的点而已。
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光学镜头和光纤组合成的光学单元创建了一个弱波导,凡进入这个弱波导里的特征波经过过滤、放大都能稳定地传导至探测器,最终计算出物体辐射出的温度,对测试距离不敏感。传
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不管什么材质的物体,辐射能力虽然有强有弱,但都在向外辐射红外波。我们测量特征波波长,而波长与特定温度是对应的;传统红外测温仪测能量,而低辐射率的物体辐射能量很弱
红外测温仪在钢铁工业中的应用
红外测温仪在钢铁工业中的应用主要体现在以下场景:
1. 高温设备安全监测
用于检测钢包、铁水、回转窑等设备的表面温度,通过温度异常识别耐火材料侵蚀或罐壁变薄等安全隐患。
例如,红外测温仪连续铁水测温系统,可实时监测出铁口铁水温度并生成温度曲线,提升生产安全性。
2.生产过程精准控温
• 轧制工艺:在高温旋转轧碾机中,红外测温仪用于确认钢坯温度是否在安全范围内,防止因温度异常导致变形或设备损坏。双色测温仪还可监测热轧粗轧/精轧入口/出口温度,优化轧机参数。
• 冷却控制:在冷却轧碾机中,实时监控钢材冷却温度,确保产品性能稳定。
• 二次加热炉:通过监测炉内温度均匀性,调整燃烧效率,减少轧制设备磨损。
3.钢水与钢渣区分
基于钢水与钢渣在远红外波段的辐射率差异,红外测温仪可实时计算出钢时下渣量,提升钢水纯净度与合金收得率。
4.高炉冶炼优化
采用双色红外测温仪监测铁水温度,结合[Si]含量变化趋势调整高炉操作参数,显著提高炉温稳定性,降低生铁硅含量。该技术还能通过温度数据预测炉缸热状态,避免炉凉事故 。
5. 动态物体温度测量
在棒线材高速轧制中,双色红外测温仪可穿透粉尘、蒸汽等干扰,精准测量运动中的线材温度,降低废品率。
这些应用通过非接触式测量优势,解决了传统接触式测温的耐高温性差、维护成本高等问题,同时为工艺优化提供数据支持。
双色测温仪在MPCVD设备中的应用优势
我公司双色测温仪在MPCVD(微波等离子体化学气相沉积)设备中得到广泛应用,尤其在高温、强电磁场、等离子体干扰等复杂环境中表现出显著优势。
以下是具体应用要点及技术解析:
一、MPCVD设备的测温挑战
1. 高温与等离子体干扰:
•MPCVD反应腔体温度可达 800~1200℃,等离子体区域存在强电磁辐射和离子轰击。
•单色红外测温仪易受表面发射率波动、等离子体散射干扰,导致测温漂移或失效。
2. 料表面特性复杂:
• 沉积基板(如硅片、蓝宝石)可能因等离子体处理形成氧化层或非均匀表面,发射率不稳定。
3. 动态过程控制需求:
• 气相反应速率与温度强相关,需实时精准监测(如等离子体功率波动时温度变化)。
二、双色测温仪的核心优势
1. 无需发射率校正:
• 通过两个不同波长(如 λ₁=1μm 和 λ₂=2μm)的红外辐射强度比值计算温度,消除发射率影响。
2. 抗干扰能力强:
• 双波长信号可抑制环境光(如腔体照明)、等离子体散射噪声的影响,提高信噪比。
3. 快速响应与高精度:
• 时间分辨率可达毫秒级,适合动态过程(如等离子体启停、气体流量变化)的温度监控。
三、双色测温仪在MPCVD中的典型应用场景
1. 等离子体温度监测
• 测量点:等离子体约束区(如线圈附近)或反应气体入口处。
• 实现方式:通过双色测温仪探测等离子体辐射的 OH自由基(~1.8μm) 或 CO₂分子(~4.3μm) 的特征谱线,间接反映等离子体能量状态。
• 优势:避免直接接触高温等离子体,且不受电极材料发射率影响。
2. 基底温度精确控制
• 测量点:沉积基板(如硅片)表面。
• 实现方式:将双色测温仪安装在腔体观察窗或通过光纤探针延伸,实时反馈基板温度。
• 波长选择:根据基板材料(如SiO₂吸收短波,金属薄膜需长波穿透)。
3. 反应器内热点诊断
• 应用:检测腔体内壁、气体流道或电极的异常升温(如局部放电导致的局部过热)。
• 方法:扫描式双色测温仪配合算法(如傅里叶变换)定位温度分布异常区域。
四、实际部署注意事项
1. 光学系统设计:
• 避免使用普通玻璃窗口(透红外性能差),改用石英或ZnSe材质的光学窗口。
• 考虑腔体真空度(10⁻³ Pa以下)对红外辐射传输的影响。
2. 校准与标定:
• 黑体校准:定期用标准黑体(如500~1500℃)校准双色测温仪的辐射比值。
• 现场标定:在MPCVD运行时,对比双色测温仪与热电偶(如K型)的读数,建立温度修正模型。
3. 抗电磁干扰(EMI):
• MPCVD的微波频率(2.45GHz或915MHz)可能干扰测温仪电路,需采用屏蔽电缆和金属屏蔽罩。
五、典型案例分析
• 案例1:GaN薄膜生长
问题:单色测温仪因Si基板表面氧化层增厚导致发射率变化,温度读数偏差±20℃。
解决:改用双色测温仪(1μm+2μm波长),通过两波长比值抵消氧化层影响,温度控 制精度提升至±5℃。
• 案例2:等离子体功率不稳定
问题:单色测温仪因等离子体辐射波动出现信号抖动。
解决:双色测温仪通过滤波算法分离等离子体噪声与真实温度信号,实现稳定输出。
六、选型建议
波长范围: 1~5μm(覆盖多数材料的特征吸收峰)
测量精度: ±1℃(全量程)
响应时间: <100ms
总结 :双色测温仪通过发射率无关性和抗干扰能力,成为MPCVD设备的理想选择,尤其适用于高温等离子体监测、基板精确控温等场景。实际应用中需结合腔体结构、材料特性进行定制化设计,并通过严格的校准流程保障测量可靠性。
红外测温仪为什么使用黑体炉进行标定
红外测温仪使用黑体炉进行标定的主要原因如下:
1. 黑体的理想特性
定义:黑体是能够完全吸收所有入射辐射的理想物体,其发射率为1。
特性:黑体的辐射特性仅取决于温度,符合普朗克定律,是理想的辐射源。
2. 提供已知辐射源
精确温度控制:黑体炉能精确控制温度,提供稳定的辐射源。
已知辐射强度:根据黑体辐射定律,已知温度下黑体的辐射强度可精确计算。
3. 校准精度
高精度校准:通过与黑体炉的已知辐射强度对比,红外测温仪可进行高精度校准,确保测量准确性。
误差校正:校准过程中可识别并校正测温仪的系统误差。
4. 确保一致性和可靠性
一致性:使用黑体炉校准可确保不同红外测温仪测量结果的一致性。
可靠性:校准后的测温仪在实际应用中更可靠,减少测量误差。
5. 符合标准和规范
行业标准:许多行业标准要求红外测温仪定期用黑体炉校准,以确保符合规范。
质量控制:校准是质量控制的重要环节,确保设备性能符合要求。
常用金属材料的发射率(辐射系数)表

报警功能
当测量温度超过或低于设定的阈值时,红外测温仪发出声音、光线等信号进行报警。
数字输出信号
是一种在时间和幅度上都离散的信号,它只能取有限个特定的值,通常用二进制代码“0”和“1”来表示。
如RS232,RS485等。
模拟输出信号
是一种在时间和幅度上都连续变化的信号,它可以取任意实数值,其变化通常是平滑的,能精确地表示物理量的变化。
如电流信号4~20mA,电压信号0~5V等。
激光瞄准
通过发射激光束来帮助用户准确地将测温仪对准被测物体的目标位置。